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  • 智能型HMDS真空系统(JS-HMDS90-AI)
  • 洁净烘箱,百级无尘烘箱
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SiC MOS 在有源功率因数校正电路的优势
来源: | 作者:隽思半导体设备部 | 发布时间: 2024-01-02 | 235 次浏览 | 分享到:

      在电力电子技术的发展中,硅功率器件的使用已经发挥到了极致。第三代功率半导体器件SiC(HMDS烘箱)的出现,为电力电子技术的行业发展提供了广阔的前景,不管是器件制造行业,还是电力电子装置行业,都有了光明的前途。目前,开关电源都朝着高效和高频化方向发展,从而造成了开关损耗增加、电源效率降低以及电磁感染严重等问题。针对这些问题,采用SiC MOS代替传统的Si MOS,可实现极高的开关速度,高开关频率和低开关损耗,同时采用有源功率因数校正的方法来提高开关电源的利用率。

    为了提高开关电源的工作频率,降低开关损耗,减少电磁污染等,采用第三代半导体(HMDS烘箱)功率器件SiC MOS代替传统的Si MOS,同时采用有源功率因数校正技术来提高开关电源的利用率。该文分析了整个电路的工作原理,利用Matlab仿真软件对电路进行了仿真。仿真结果表明,在开关电源中使用SiC MOS可以提高开关频率,降低开关损耗,提高电源的利用率。功率因数可达0.998以上,负载上输出的直流电压稳定,纹波电压误差小。

SiC MOSHMDS烘箱

温度范围:RT+10-200℃

真空度:≤1torr

操作界面:人机界面

工艺编辑:可储存5个配方

气体:N2进气阀,自动控制

容积:定制

产品兼容性:2~12寸晶圆及碎片、方片等

  HMDS烘箱适用行业:MEMS、太阳能、电池片、滤波、放大、功率等器件,晶圆、玻璃、贵金属,SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、ZnO(氧化锌)、GaO(氧化镓)、金刚石等第三代半导体材料。