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光刻工艺中的各类烘箱
来源: | 作者:隽思半导体设备部 | 发布时间: 2024-07-09 | 45 次浏览 | 分享到:

概述

  光刻是指利用特定波长的光进行辐照,将掩膜板上的图形转移到光刻胶上的过程。光刻工艺是一个复杂的物理化学过程,具有大面积、重复性好、易操作以及成本低等特点,是半导体器件与大规模集成电路制造的核心步骤。

工艺流程

HMDS衬底预处理

  智能型HMDS增粘烘箱中首先去除表面污染物以及水蒸气,随后预烘烤至100~150℃,有助于增强光刻胶与衬底的黏附性,对于亲水性衬底,如SiO2、玻璃、贵金属膜等,需要使用增附剂增加衬底与光刻胶的黏附性,称为增附或者助黏。

涂胶

在硅片表面涂布一层光刻胶,光刻胶是一种对特定波长光线敏感的光敏材料,用于在曝光过程中形成电路图案。

前烘

 前烘又被称为软烘,是将涂布了光刻胶的硅片放入烘箱中进行加热,目的是为了去除光刻胶中的溶剂,增强光刻胶与硅片的黏附性,并减少光刻胶中的应力。

  前烘精密热板无尘烘箱的温度一般控制在85~120°C之间,时间为30~60秒。烘烤后需要冷却至室温再进行后续工艺,特别是厚胶,曝光前需要等待一段时间来实现再吸水过程,保证显影速度和高对比度。

曝光

曝光需要用到光刻机,将掩模版上的电路图案与硅片上的目标位置进行精确对准,然后通过光源将掩模版上的电路图案投影到硅片上的光刻胶层上,形成所需要的电路图案。

后烘

 曝光后,将硅片放入洁净烘箱中再次加热,目的是为了进一步固化光刻胶,增强光刻胶与硅片的黏附性,此步骤只需要在特定情况下需要进行,同时后烘也需要对温度和时间进行精准把控