HMDS六甲基二硅胺烷成底膜的重要性
半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将 HMDS 涂到半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃、蓝宝石、晶圆等材料表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。
（1）浸润分滴和旋转。浸润分滴和旋转的方法常用于单个硅片的处理。温度和用量容易控制，但需要排液和排气装置。缺点是HMDS消耗量较大及对人体伤害的问题。
（2）喷雾分滴和旋转。喷雾的方法是用一喷雾器在晶圆片表面喷一层细微的 HMDS，这种方法的优点是有助于晶圆片表面颗粒的去除，但同样存在消耗量较大的问题及对人体伤害的问题。
（3）气相成底膜是最常用的方法，通常在120～150℃下完成。气相成底膜的优点是由于没有与硅片的接触减少了来自液体 HMDS 颗粒沾污的可能，并且HMDS 的消耗量也最少。气相成底膜的温度与烘焙温度接近，因此在实际操作中也常将二者结合起来使用
