集成电路的制造包括近800道物理、化学工序,主要有5个制造阶段:晶圆(Wafer)的制备、芯片制造、芯片检测、芯片封装和验收测试。
其中半导体芯片生产主要涉及IC设计、IC制造、IC封测三大环节。
核心IC制造环节是将芯片电路图从掩膜转移至硅片上,并实现对应功能的过程,包括光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨等步骤。
光刻的成本约占整个芯片制造成本的1/3,耗费时间约占整个芯片工艺的40-60%,是大规模集成电路制造过程中最复杂、昂贵和关键的工艺。
一般的光刻工艺要经历八道工序:气相成底膜、旋转涂胶、软烘、对准曝光、后烘 、显影、坚膜烘焙和检测。
气相成底膜工艺:
首先用六甲基二硅胺烷在硅片上形成底膜,该底膜使硅片表面疏离水分子,同时增强对光刻胶的结合力。
气相成底膜设备,六甲基二硅胺烷(HMDS)烘箱
HMDS烘箱将六甲基二硅胺烷HMDS气相沉积至半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃、蓝宝石、晶圆等材料表面后,经系统加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。
气相成底膜设备,六甲基二硅胺烷(HMDS)烘箱特点:
HMDS药液泄漏报警提示功能
HMDS低液位报警提示功能
工艺数据记录功能
药液管道预热功能
程序锁定保护等功能
气相成底膜设备,六甲基二硅胺烷(HMDS)烘箱性能:
1.尺寸(深*宽*高)
内腔尺寸:450×450×450(mm)(可定制)
外形尺寸:750×1120×1650(mm)
2. 材质:外箱采用优质冷轧板喷塑,内箱采用 316L 医用级不锈钢
3.温度范围:RT+50-200℃
4.温度分辨率:0.1℃
5.温度波动度:≤±0.5
6 真空度:≤133pa(1torr)
7.电源及总功率:AC 220V±10% / 50HZ,总功率约 3.2KW
8.控制仪表:人机界面,一键运行
9.搁板层数:2 层
10.HMDS控制:可控制HMDS 药液添加量
11.真空泵:无油涡旋真空泵