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氮化镓(GaN氮气烘箱)是一种宽禁带半导体材料
来源: | 作者:隽思半导体设备部 | 发布时间: 2024-04-28 | 89 次浏览 | 分享到:
氮化镓(GaN氮气烘箱)是一种宽禁带半导体材料。GaN产业范畴大致包括:GaN单晶衬底(以SiC、Si、蓝宝石为衬底)、GaN材料外延、器件设计以及器件制造。国内氮化镓企业以IDM模式为主,充分挖掘行业技术潜力,且有条件率先实验并推行新技术。随着行业规模不断拓展, 设计与制造环节已经开始出现分工。

      氮化镓(GaN氮气烘箱)是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度达到3.4eV,是最具代表性的第三代半导体材料之一。

      第三代半导体因为具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力,更适合制作高温、高频、大功率及抗辐照器件,可广泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域,包括射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等。

      GaN产业范畴大致包括:GaN单晶衬底(以SiC、Si、蓝宝石为衬底HMDS烘箱)、GaN材料外延氮气烘箱、器件设计以及器件制造。国内氮化镓企业以IDM模式为主,充分挖掘行业技术潜力,且有条件率先实验并推行新技术。随着行业规模不断拓展, 设计与制造环节已经开始出现分工。

      氮化镓射频器件主要应用于军用雷达、卫星通讯、5G 基站等方面,由于涉及国家安全,海外企业对高性能氮化镓器氮气烘件实行对华禁运。在国产替代的迫切要求下,相关氮化镓射频器件企业已逐步打破国外垄断,取得技术进步。

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