铌酸锂具有出色的光电特性，作为一种集成光子平台，受到广泛关注。在此基础上，各种功能光子器件，如电光调制器和非线性波长转换器，已经展现出令人瞩目的性能。与此同时，基于铌酸锂薄膜的激光器和放大器作为集成光子系统的重要组成部分，也取得了一系列令人振奋的突破和进展。

  铌酸锂材料将引领未来片上集成光路的变革。随着全球经济数字化浪潮的推动，智慧城市和数据中心的建设与光子芯片的研发和生产密切相关。铌酸锂材料可用于制备集成激光器、放大器、变频器、电光调制器、光电探测器等关键光子器件，促进了光通信、激光雷达、粒子传感、信息处理等领域的快速发展。未来，更多类型的高集成、多功能LNOI芯片将走向产业化，片上集成光路领域也将迎来数字经济时代的新发展机遇。"

HMDS预处理系统

将HMDS气相沉积至半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、碳化硅、玻璃、蓝宝石、镀金晶圆等材料表面后，经系统加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。

智能型HMDS预处理系统（JS-HMDS90-AI）技术性能：

内尺寸：300×300×300，450×450×450，550×550×550（mm）（可定制）

温度范围：RT+50-200℃

真空度：≤1torr

控制方式：人机界面，一键运行

真空泵：无油涡旋真空泵

智能型HMDS预处理系统（JS-HMDS90-AI）特点：

HMDS药液泄漏报警提示功能

HMDS低液位报警提示功能

工艺数据记录功能

药液管道预热功能

程序锁定保护等功能