GaN基Micro LED由于具有高亮度、高稳定性、长寿命和低功耗等优点,被认为是继LCD和OLED之后,最具潜力的下一代显示技术。在显示应用中,通常需要驱动电路与Micro LED通过异质集成以达到对单个像素控制的目的,研究更高效可靠的Micro LED与驱动电路的集成方式对显示应用有着重要的意义。
近日,南京大学庄喆、刘斌团队提出了一种GaN基Micro LED用准垂直MOSFET驱动的全氮化物单片集成方法,实现了对不同尺寸Micro LED芯片的电流驱动。相关研究工作近期以“Monolithic integration of GaN-based green Micro LED and quasi-vertical MOSFET utilizing a hybrid tunnel junction”为题发表在《IEEE Electron Device Letters》上。
Micro LED无尘烘箱
工作室尺寸:450*450*450mm,W500*H700*D600mm,
W500*H550*D500mm多尺寸定制
工作室:1个或多个定制
温度范围 :室温--300℃
温度波动度 :±1℃
温度均匀度 : ±1.5%℃
升温速率 : 8℃/min
循环风方式 :内部循环
电源: 三相五线制,380V,50HZ
总功率: 8KW
外箱材料:优质冷轧板钢板喷塑
内胆材料:SUS 304 不锈钢制作
Micro LED无尘烘箱适用于IC可靠性试验,IC封装,光刻胶固化,电子液晶显示、LCD、CMOS、IS、医药、实验室等生产及科研部门;也可用于非挥发性及非易燃易爆物品的干燥、热处理、老化等其他高温试验。