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PI无氧烘箱工艺流程
来源: | 作者:隽思半导体设备部 | 发布时间: 2023-04-06 | 963 次浏览 | 分享到:

  PI光刻胶是一种高性能、高精度的光刻胶，被广泛应用于微电子、光电子、MEMS等领域

PI无氧烘箱工艺的必要性：

  PI光刻胶的预烘是将其涂覆在衬底上后，在特定温度下进行一段时间的烘千，使PI溶液中的溶剂挥发掉，PI形成一定的网状结构并增强其附着性。

PI无氧烘箱工艺要求（参考）：

  1. 在低氧状态下使用

  2. 真空加热，升温至1xx℃

  3. 再温至1xx℃(约xh),保温约 30min;

  4. 继续升温至x00℃，视涂层厚度不同加热10-x0min

  5. 保温 约60min；

  6. 降温至100℃以下

PI无氧烘箱性能：

温度：室温+50～400℃

氧浓度：≤10ppm 

真空度：1Torr

冷却装置：辅助降温

控制方式：可程式运行