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  • 智能型HMDS真空系统(JS-HMDS90-AI)
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3纳米官宣!
来源: | 作者:隽思半导体设备部 | 发布时间: 2022-07-01 | 587 次浏览 | 分享到:

三星电子首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管”(简称: MBCFET Multi-Bridge-Channel FET)应用打破了FinFET技术的性能限制,通过降低工作电压水平来提高能耗比,同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。


三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片,并计划将其扩大至移动处理器领域。


相较三星5纳米(nm)而言,优化的3纳米(nm)工艺,性能提高23%,功耗降低45%,芯片面积减少16%.


2022年6月30日,作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子宣布, 基于3nm全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称 GAA)制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。