首先我们了解一下光刻为什么用黄光?

• 因为黄光的波长较长, 难以使得光刻胶曝光, 因此将黄光作光刻区域的照明光源。

• 避免干扰光刻工艺

在半导体微影制程中，实际使用的光源并非黄光，而是深紫外光（DUV）或极紫外光（EUV），这些短波长光源用于精确地在硅晶圆表面的光刻胶上刻画微细电路图案。  

• 保护敏感材料

半导体生产过程中使用的某些材料可能对可见光谱中的某些波长敏感，尤其是对紫外线敏感。黄光的波长较长，不易引起这些敏感材料的化学反应。 

• 视觉舒适性

黄光相较于蓝光等短波长光对人眼更加柔和，有助于减少长时间在无尘室工作的员工因高强度照明产生的视觉疲劳。

光刻是集成电路（IC或芯片）生产中的重要工艺之一。简单地说，就是利用光掩模和光刻胶在基板上复制电路图案的过程。

硅片上涂有二氧化硅绝缘层和光刻胶。光刻胶在紫外光照射下很容易被显影剂溶解，经过溶解和蚀刻后，电路图案就会留在基板上。

HMDS烘箱使用于光刻涂胶工艺

光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。

HMDS烘箱的性能：

温度范围：RT+10-250℃

真空度：≤1torr

操作界面：人机界面

工艺编辑：可储存多个配方

气体：N2/HMDS，自动控制

容积：40-210L

产品兼容性：2~12寸晶圆及碎片、方片等

  HMDS烘箱适用行业：MEMS、太阳能、电池片、滤波、放大、功率等器件，晶圆、玻璃、贵金属，SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、ZnO（氧化锌）、GaO（氧化镓）、金刚石等第三代半导体材料。