GaN基Micro LED由于具有高亮度、高稳定性、长寿命和低功耗等优点，被认为是继LCD和OLED之后，最具潜力的下一代显示技术。在显示应用中，通常需要驱动电路与Micro LED通过异质集成以达到对单个像素控制的目的，研究更高效可靠的Micro LED与驱动电路的集成方式对显示应用有着重要的意义。

近日，南京大学庄喆、刘斌团队提出了一种GaN基Micro LED用准垂直MOSFET驱动的全氮化物单片集成方法，实现了对不同尺寸Micro LED芯片的电流驱动。相关研究工作近期以“Monolithic integration of GaN-based green Micro LED and quasi-vertical MOSFET utilizing a hybrid tunnel junction”为题发表在《IEEE Electron Device Letters》上。

Micro LED无尘烘箱

工作室尺寸：450*450*450mm，W500*H700*D600mm， 

        W500*H550*D500mm多尺寸定制

工作室：1个或多个定制

温度范围 ：室温--300℃     
温度波动度 ：±1℃
温度均匀度 : ±1.5%℃  
升温速率 : 8℃/min         
循环风方式 ：内部循环     
电源： 三相五线制，380V，50HZ     
总功率： 8KW 

外箱材料：优质冷轧板钢板喷塑  

内胆材料：SUS 304 不锈钢制作    

Micro LED无尘烘箱适用于IC可靠性试验，IC封装，光刻胶固化，电子液晶显示、LCD、CMOS、IS、医药、实验室等生产及科研部门；也可用于非挥发性及非易燃易爆物品的干燥、热处理、老化等其他高温试验。