薄膜铌酸锂晶圆（LNOI）的生产制造技术与传统SOI晶圆制造方法相同，大多基于"Smart-cut"技术实现，该项技术专利于1998年申请【1】，到2018年截止，目前该项专利技术已经不受专利保护，可无偿使用。
LNOI晶圆制备过程如下下图所示，包括以下五个步骤：（1）离子注入；（2）衬底准备；（3）薄膜键合；（4）退火及剥离；（5）CMP平坦化。
如下图b所示，利用离子注入机，从铌酸锂晶体上表面打入高能的He离子，特定能量的He离子进入晶体后，受到LN晶体中原子和电子的阻挠，会逐渐减速并停留在特定深度位置，破坏该位置附近处的晶体结构，将LN晶体分成上下A/B两层，而A区将会是我们需要制备LNOI所需要的薄膜。
第二步：衬底制备（铌酸锂晶圆LNOI制备技术无尘烘箱）
要做薄膜铌酸锂晶圆，肯定不能让几百nm的LN薄膜处于悬空状态，必须有底层支撑材料。常用的SOI晶圆，衬底都是一层厚度大于500um的硅晶圆，然后在其表面制备SiO2介质层，最后将单晶硅薄膜键合在上表面，形成SOI晶圆。
对于LNOI晶圆一样，常用的衬底有Si和LN这两种材料，然后通过热氧或PECVD沉积工艺制备SiO2介质层，如果介质层表面不平整，还需要化学机械研磨CMP工艺，使其上表面光滑平整，便于后续的键合工艺。
第三步：薄膜键合（铌酸锂晶圆LNOI制备技术无尘烘箱）
利用晶圆键合设备，将注入离子后的LN晶体反转180度，键合到衬底上。对于晶圆级生产而言，衬底与LN两者的键合表面都做了平整化处理，通常采用直接键合方式键合，中间不需要粘结剂材料。
而对于科学研究而言，还可以采用BCB（benzocyclobutene）作为中间层粘结剂材料，实现Die to Die的键合，采用BCB键合方式，对键合表面平整度要求较低，非常适合于科研实验中。但是BCB不具有长期稳定性，所以在晶圆生产中，通常不会采用BCB键合。
将两种晶体表面贴合挤压后，还需高温退火及剥离工艺。两种晶体表面贴合后，首先在特定温度下维持一定时间，加强界面键合力，同时使得注入离子层气泡化，使得A,B两层薄膜逐渐分离开，最后用机械设备将两者剥离开，然后再逐渐降低温度至室温，完成整个退火及剥离工艺。退火工艺作用：
（1）较高的温度能够使得键合界面的键合力增加，使得键合的薄膜更牢固。（2）较高的温度能偶使得注入离子层气泡化，使得A,B两层薄膜逐渐分离开。（3）高温退火也会修复A层薄膜内受离子注入损伤的晶体，使其恢复单晶材料特性。
经过退火剥离后的LNOI晶圆，其表面是粗糙的，不平整的，需要进一步做CMP平坦化处理，使得晶圆表面薄膜平整，降低表面粗糙度。
