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光刻胶(Photoresist)
来源: | 作者:隽思半导体设备部 | 发布时间: 2024-04-23 | 59 次浏览 | 分享到:


光刻胶

  光刻胶(Photoresist;又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐刻蚀薄膜材料。

  电子束光刻胶很敏感,曝光后可以用某些显影剂显影。与曝光区域相比,光刻胶可产生正像或负像。与光刻胶类似,电子束光刻胶在光刻技术中发挥两个主要作用:(a) 精确的图案转移;(b) 形成和保护覆盖基底,防止蚀刻或离子注入。这些功能完成后,通常会去除光刻胶。电子束光刻胶的重要特性包括分辨率、灵敏度、抗蚀刻性和热稳定性,本节将对这些特性进行介绍。

3 光刻胶的分辨率和特性

在电子束光刻过程中,电子将穿过光刻胶,并通过原子碰撞(即散射)损失能量。但是,部分电子会从基底散射回光刻胶中,这种现象称为背散射。散射和背散射会使电子束扫描的线变宽,从而增加光刻胶的总剂量。

散射的影响随电子束能量的变化而变化。能量越高,散射率越低,但散射后的距离却越长。因此,有两种方法可以获得高分辨率,一种是高能量但应用剂量相对较低,另一种是低能量但应用剂量相对较高。无论哪种方法,都需要非常紧密聚焦的电子束,以获得较小的特征尺寸。

某些电子束光刻应用的另一个问题是写入速度,这主要取决于光刻胶的灵敏度和写入过程中使用的电流大小。分辨率最高的光刻胶通常灵敏度最低。

   光刻胶的最终分辨率并不是由电子散射决定的,而是由以下因素共同决定的:(a) 曝光过程中电子与光刻胶分子之间库仑相互作用的范围所决定的分散性;(b) 进入光刻胶的次级电子的杂散;(c) 光刻胶的分子结构;(d) 显影过程中的分子动力学(光刻胶在显影剂中的膨胀趋势);以及 (e) 电子光学中的各种偏差。

   光刻胶的分辨率还受到邻近效应的影响,这种效应是由曝光过程中相邻的特征造成的。在某些情况下,这种效应会大大降低曝光模式,其中包括大量间距较近的细微特征,或在较大特征附近的小特征。

   光刻胶的抗蚀刻性、热稳定性、附着力、固含量和粘度等机械和化学特性对图案转移非常重要。在这些性能中,抗蚀刻性是将光刻胶用作蚀刻掩模时最重要的性能。抗蚀刻性是指光刻胶在图案转移过程中承受蚀刻程序的能力。另一个重要特性是热稳定性,它能满足干蚀刻等特定工艺的要求。如前所述,电子束光刻胶可沉积在各种基底上,包括半导体(Si、Ge、GaAs)、金属(Al、W、Ti)和绝缘体(SiO2、Si3N4)。良好的附着力是获得良好图案转移的必要条件。

  为提高光刻胶与基底之间的附着力,可采用多种技术,包括涂覆前的脱水烘烤、附着力促进剂(如六甲基二硅氮烷(HMDS)、蒸镀系统和高温后烘烤循环(HMDS烘箱)。

电子束光刻胶通常分为正性光刻胶和负性光刻胶,可以根据光刻胶照射后,交联反应或化学键断裂谁占主导地位进行划分。正性光刻胶(正胶):曝光区域光刻胶中的化学键断裂反应占主导,易溶于显影液。负性光刻胶(负胶):曝光区域光刻胶中的交联反应占主导,由小分子交联聚合为大分子,难溶解于显影液。