光刻胶处理中的四大烘烤工艺——基板预烘烤、软烘、曝光后烘烤与硬烘
涂胶前的烘烤
基板表面处理是光刻胶附着的首要环节。当温度升至100°C时，基材表面吸附的水分子（H₂O）开始脱附，这一过程能有效消除“水膜屏障”，避免光刻胶与基板间因水分残留导致的结合力下降。硅、玻璃、石英等氧化表面的羟基（-OH）会导致亲水性表面，降低光刻胶附着力，而温度进一步升至150°C以上时，羟基（-OH）会发生热裂解反应，从而进一步提升光刻胶与基板的结合力。
① 低温段推荐120°C烘烤3-5分钟，高温段需避免过久导致基板氧化加剧。
②使用上海隽思HMDS烤箱HMDS增粘剂预处理可达到类似高温烘烤的效果。
③ 涂胶应在基板冷却后立即进行以防止水分再吸附，但需确保基板恢复室温以保证胶膜均匀性。
HMDS烤箱预烘烤工艺
HMDS烤箱将HMDS涂到半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃、蓝宝石、碳化硅/硫化锌/磷化铟/生物晶圆等材料表面后，经烘箱加温气相沉积在衬底表面。它成功地将硅片表面由亲水变为水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。
可以很好地改善光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀等烦恼。
