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聚酰亚胺PI无氧烘箱,氮气亚胺化烘箱在光刻工艺中的应用
来源: | 作者:隽思半导体设备部 | 发布时间: 2024-01-08 | 301 次浏览 | 分享到:

聚酰亚胺PI无氧烘箱,氮气亚胺化烘箱应用工艺


  聚酰亚胺胶的固化温度大约为250-350,固化5小时左右。坚膜时间太长,光刻胶会流动,破坏图形,坚膜时间太短,溶剂没有蒸发完,胶与硅片的粘附性差,腐蚀时会出现脱胶,导致圆片报废。

  聚酰亚胺(PI)是一种高温环链高分子聚合物,它热稳定性好,热膨胀系数小,台阶覆盖性、抗辐射性好,并且具有耐各种有机滚剂的优良化学特性,绝缘性好,有负电效应,由学、微电子学性能优良,因此常用作表面钟化。PI具有感光性,使用方法就像光刻涂胶一样,用涂胶机均匀地将聚酰亚胺液涂敷于待钟化的硅片上,再在高温下使之转变为聚酷亚胺,这一加温处理过程称为亚胺化。亚胺化过程很有讲究,如果亚胺化温度低,则会有较多的聚醉胺酸未转变为亚胺结构,降低了绝缘性能:,如果温度升的太快,溶剂挥发过急,就容易产生气泡,使薄膜粘附不牢。正性聚酰亚胺胶是红色粘稠液态物质,经过曝光显影后变成金黄色或黄色。它一般采用手动显影,在常温下的正胶显影液浸泡50-60S,并且用N,鼓泡,然后用纯水冲洗干净甩干。聚酰亚胺光刻胶用等离子刻蚀去胶机去胶,在去胶机内通入0,刻蚀气体。

  聚酰亚胺光刻返工:如果聚亚胺曝光显影后未坚膜,发现异常需要返工的话可以将圆片钝化层全部曝光后再显影去除聚酰亚胺:如果聚酰亚胺坚膜固化后,显影不能除去,需要放入等离子刻蚀去胶机中用0和CF,将固化的聚酰亚胺干法刻蚀去除。

聚酰亚胺PI无氧烘箱,氮气亚胺化烘箱指标

工作室尺寸:  W500mm×D500mm×H550mm  ,可定制

材质:  内箱采用耐高温SUS304不锈钢,外箱采用优质冷轧板喷塑

温度范围:  RT+50-400℃ 

氧含量:  ≤20ppm  

温度分辨率:  0.1℃

温度波动度:  ≤±1℃

温度均匀度:  ≤±1.5%℃

操作方式: 人机界面,自动运行,一键工艺

洁净度:  Class100 

升温速度: 1-8℃/min,阶梯升温模式

降温时间:  350℃降温至80℃平均约4.0℃/min  

操作方式:  人机界面+PLC,可程式/定制运行

工艺选择:5组工艺配方保存,每组15个工艺步骤

样品架: 多层不锈钢冲孔样品架,高度可调节,活动网板

聚酰亚胺PI无氧烘箱,氮气亚胺化烘箱其他用途:


  应用于精密电子元件、PI、CPI/PBO/LCP/BCB胶高温固化烘烤、银胶固化、光刻胶固化、电子陶瓷材料无尘烘干的特殊工艺要求,适用于触摸屏、晶圆、LED、PCB板、ITO玻璃等精密电子、太阳能、新材料等行业.