南洋理工大学、北京大学、清华大学和北京量子信息科学研究院的研究人员最近展示了利用范德华力成功地将单晶滴定锶（一种高 κ 钙钛矿氧化物）与二维半导体集成。他们的论文发表在Nature Electronics上，可以为开发新型晶体管和电子元件开辟新的可能性。
研究人员在水溶性牺牲层上生长了高 κ 钙钛矿氧化物。随后，他们从该层中取出钙钛矿氧化物，并使用弹性体载体（即聚二甲基硅氧烷或 PDMS）将其转移到两种类型的二维半导体（氮气烘箱）上。他们特别使用了二硫化钼和二硒化钨，这两种不同的二维半导体使他们能够分别制造 n 型和 p 型晶体管。 Renshaw Wang 和 Yang 在一系列测试中评估了他们制造的晶体管，发现它们取得了显著的成果。具体而言，二硫化钼晶体管在1 V 的电源电压和 66 mV dec-1 的最小亚阈值摆幅下表现出10的八次方的开/关电流比。 作为他们最近研究的一部分，研究人员表明，他们创造的晶体管可用于制造高性能和低功耗互补金属氧化物半导体逆变器电路。未来，他们的设备可以大规模制造，用于开发低功耗的逻辑电路和微芯片。
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